- Sku: KVR24N17S8/8
- Vendor: Kingston
KVR24N17S8/8 8GB 1Rx8 1G x 64-Bit PC4-2400 CL17 288-Pin DIMM (última pieza stock confirmado)
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KVR24N17S8/8 8GB 1Rx8 1G x 64-Bit PC4-2400 CL17 288-Pin DIMM (última pieza stock confirmado)
Descripción del producto
KINGSTON · VALUERAM
8 GB DDR4 para tu próxima actualización
Memoria ValueRAM KVR24N17S8/8 en formato DIMM de 288 pines. Especificaciones claras para ampliar la memoria de tu equipo compatible.
8 GB / 2400 MT/s / CL17 / 1.2 V
Kingston ValueRAM KVR24N17S8/8
Módulo SDRAM DDR4-2400 de 8 GB con organización 1G × 64 bits y configuración 1Rx8. Está construido con ocho componentes FBGA de 1G × 8 bits. Su SPD está programado con tiempos JEDEC de 17-17-17 a 1.2 V. Una opción para ampliar la capacidad de memoria al trabajar con documentos y aplicaciones en un sistema compatible.
8 GB
Capacidad de ampliación
Organización 1G × 64 bits con configuración de un solo rango, 1Rx8.
2400 MT/s
Tecnología DDR4
Latencia CL17 con tiempos JEDEC de 17-17-17 y alimentación nominal de 1.2 V.
288 pines
Formato DIMM
Contactos dorados y PCB con altura de 31.25 mm.
Verifica la compatibilidad antes de actualizar
Confirma que tu equipo admita memoria DDR4 DIMM de 288 pines, módulos de 8 GB y configuración 1Rx8 a 1.2 V. Este módulo no es el SODIMM DDR3 del producto anterior.
Especificaciones técnicas
| Memoria y rendimiento | |
|---|---|
| Modelo | Kingston ValueRAM KVR24N17S8/8 |
| Capacidad / tecnología | 8 GB / DDR4 SDRAM |
| Velocidad | 2400 MT/s |
| Latencia / tiempos JEDEC | CL17 (17 ciclos) / 17-17-17 |
| Organización / rango | 1G × 64 bits / 1Rx8, single-rank |
| Componentes | 8 componentes FBGA de 1G × 8 bits |
| Características eléctricas | |
| VDD / VDDQ | 1.2 V típicos / 1.2 V típicos |
| VPP | 2.5 V típicos |
| VDDSPD | 2.2 a 3.6 V |
| Potencia máxima de operación | Por determinar (TBD en la información original). El consumo varía según la SDRAM utilizada. |
| Temporización | |
| Tiempo de ciclo de fila (tRC mín.) | 45.75 ns |
| Tiempo de comando de refresco (tRFC mín.) | 350 ns |
| Tiempo de fila activa (tRAS mín.) | 32 ns |
| Formato y condiciones ambientales | |
| Formato / contactos | DIMM de 288 pines / contactos dorados |
| Altura del PCB | 31.25 mm (1.23 pulgadas) |
| Temperatura de operación | 0 °C a +85 °C |
| Temperatura de almacenamiento | −55 °C a +100 °C |
| Clasificación UL | 94 V-0 |
| Características de materiales | Cumple RoHS y libre de halógenos, según la información del producto. |
Arquitectura y funciones
- Terminación en chip (ODT) nominal y dinámica para señales de datos, strobe y máscara.
- Auto-refresco de bajo consumo (LPASR) e inversión del bus de datos (DBI).
- Generación y calibración de VREFDQ en el chip.
- EEPROM SPD integrada con interfaz I2 para detección de presencia en serie.
- 16 bancos internos organizados en 4 grupos de 4 bancos.
- Burst chop fijo de 4 (BC4) y longitud de ráfaga de 8 (BL8), configurables mediante el registro de modo (MRS).
- Selección de BC4 o BL8 sobre la marcha (OTF).
- Topología fly-by y bus de comandos de control y direcciones con terminación.
La actualización empieza con la compatibilidad.
Revisa los requisitos de tu equipo y elige la capacidad, el formato y el voltaje adecuados.